TPH3205WSBQA Renesas Electronics Corporation | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

TPH3205WSBQA har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Renesas Electronics Corporation

I lager: 5

Enhetspris : kr 193,77000

Similar

IXYS

I lager: 5 072

Enhetspris : kr 126,26000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPH3205WSBQA
DigiKeys produktnummer	TPH3205WSBQA-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TPH3205WSBQA
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 35 A (Tc) 125W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 8 V
Tillv. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max) ±18V
Förpackning Rör	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 400 V
Artikelstatus Föråldrad	Effektförlust (max) 125W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 35 A (Tc)	Monteringstyp Genomgående hål
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Leverantörens enhetsförpackning TO-247-3
Rds On (max) @ Id, Vgs 62mOhm vid 22A, 8V	Inkapsling/låda TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2,6V vid 700µA	Basproduktens nummer TPH3205