TPD3215M Renesas Electronics Corporation | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPD3215M
DigiKeys produktnummer	TPD3215M-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TPD3215M
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 600V 70 A (Tc) 470W Genomgående hål Modul
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Bulk
Artikelstatus	Föråldrad
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Konfiguration	2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	600V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	70 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	34mOhm vid 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	28nC vid 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2260pF vid 100V
Effekt - max	470W
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Monteringstyp	Genomgående hål
Inkapsling/låda	Modul
Leverantörens enhetsförpackning	Modul
Basproduktens nummer	TPD3215