TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP90H050WS
DigiKeys produktnummer	1707-TP90H050WS-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP90H050WS
Beskrivning	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 900 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (kaskod gallium-nitrid-FET)
Drain till source-spänning (Vdss)	900 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	34 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	63mOhm vid 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,4V vid 700µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 600 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	119W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-3
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	TP90H050