TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP65H300G4LSG-TR
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Remsa och spole (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Remsbit (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP65H300G4LSG-TR
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 6,5 A (Tc) 21W (Tc) Ytmontering 3-PQFN (8x8)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TP65H300G4LSG-TR Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Har utgått hos Digi-Key
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	6,5 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	8V
Rds On (max) @ Id, Vgs	312mOhm vid 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,6V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	21W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	3-PQFN (8x8)
Inkapsling/låda	3-PowerDFN
Basproduktens nummer	TP65H300