Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 59.775 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TP65H150G4LSG
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H150G4LSG-ND - Remsa och spole (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Remsbit (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP65H150G4LSG
Beskrivning	GAN FET N-CH 650V PQFN
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Ytmontering 3-PQFN (8x8)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TP65H150G4LSG Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	13 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	180mOhm vid 8,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,8V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	598 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	52W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	3-PQFN (8x8)
Inkapsling/låda	3-PowerTDFN
Basproduktens nummer	TP65H150

Enhetspris exkl. moms:	kr 47,82000
Enhetspris inkl. moms:	kr 59,77500

TP65H150G4LSG