Name: TP65H050G4QS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4QS-TR-ND
Price: 114.375 SEK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Ytmontering TOLL

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP65H050G4QS-TR
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H050G4QS-TR-ND - Remsa och spole (TR) 1707-TP65H050G4QS-TRCT-ND - Remsbit (CT) 1707-TP65H050G4QS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP65H050G4QS-TR
Beskrivning	650 V 34 A GAN FET
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Ytmontering TOLL
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4,8V vid 700µA
Tillv. Renesas Electronics Corporation	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 119W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 34 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TOLL
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda 8-PowerSFN
Rds On (max) @ Id, Vgs 60mOhm vid 22A, 10V