TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP65H035G4WSQA
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP65H035G4WSQA
Beskrivning	650 V 46.5 GAN FET
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	47,2A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	41 mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,8V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	187W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-3
Inkapsling/låda	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

I lager: 30

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut.

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 190,13000	kr 190,13
30	kr 119,55200	kr 3 586,56

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.