NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NP88N03KDG-E1-AY
DigiKeys produktnummer	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	NP88N03KDG-E1-AY
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 88 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Ytmontering TO-263
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NP88N03KDG-E1-AY Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Tillv. Renesas Electronics Corporation	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR)	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Föråldrad	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 1,8W (Ta), 200W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur 175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 88 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-263
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,4mOhm vid 44A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

Föråldrad

Denna produkt tillverkas inte längre.

NP88N03KDG-E1-AY