N-kanal 650 V 31 A (Tc) 129W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 31 A (Tc) 129W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
TO-247-4

NVH4L095N065SC1

DigiKeys produktnummer
5556-NVH4L095N065SC1-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NVH4L095N065SC1
Beskrivning
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Tillverkarens standardleveranstid
18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 31 A (Tc) 129W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
31 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
105mOhm vid 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,3V vid 4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
956 pF @ 325 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
129W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 400
Fabrikslager: 2 700
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 117,64000kr 117,64
30kr 71,06867kr 2 132,06
120kr 60,85758kr 7 302,91
510kr 58,33355kr 29 750,11
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 117,64000
Enhetspris inkl. moms:kr 147,05000