Name: NVH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L080N120SC1-ND
Price: 140.575 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NVH4L080N120SC1
DigiKeys produktnummer	5556-NVH4L080N120SC1-ND
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NVH4L080N120SC1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 29 A (Tc) 170W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NVH4L080N120SC1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	29 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	110mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,3V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	170W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-4L
Inkapsling/låda	TO-247-4
Basproduktens nummer	NVH4L080

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 297

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 112,46000	kr 112,46
30	kr 67,49833	kr 2 024,95
120	kr 57,65133	kr 6 918,16
510	kr 54,57727	kr 27 834,41

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.