NVD3055L170T4G-VF01 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 1 255
Enhetspris : kr 20,13000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 2 540
Enhetspris : kr 20,13000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 4 490
Enhetspris : kr 20,13000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 917
Enhetspris : kr 18,99000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 5,27726
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 18,99000
Datablad
DPAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NVD3055L170T4G-VF01

DigiKeys produktnummer
NVD3055L170T4G-VF01TR-ND - Remsa och spole (TR)
NVD3055L170T4G-VF01CT-ND - Remsbit (CT)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
NVD3055L170T4G-VF01
Beskrivning
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 9 A (Ta) 28,5W (Ta) Ytmontering DPAK
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
5V
Rds On (max) @ Id, Vgs
170mOhm vid 4,5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
275 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
28,5W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
DPAK
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.