Name: NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG160N120SC1TR-ND
Price: 143.7625 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

NVBG160N120SC1
DigiKeys produktnummer	5556-NVBG160N120SC1TR-ND - Remsa och spole (TR) 5556-NVBG160N120SC1CT-ND - Remsbit (CT) 5556-NVBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NVBG160N120SC1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 19,5 A (Tc) 136W (Tc) Ytmontering D2PAK-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NVBG160N120SC1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	19,5 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	224mOhm vid 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,3V vid 2,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	33.8 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	678 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	136W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	D2PAK-7
Inkapsling/låda	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Basproduktens nummer	NVBG160

Enhetspris exkl. moms:	kr 115,01000
Enhetspris inkl. moms:	kr 143,76250

NVBG160N120SC1