NVB6411ANT4G har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
I lager: 1 917
Enhetspris : kr 36,54000
Datablad

Similar

IRFS4510TRLPBF
Infineon Technologies
I lager: 1 600
Enhetspris : kr 9,43924
Datablad

Similar

IXTA80N10T
IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 47,33000
Datablad

Similar

STB80NF10T4
STMicroelectronics
I lager: 1 380
Enhetspris : kr 35,43000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 100 V 77 A (Tc) 217W (Tc) Ytmontering D2PAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NVB6411ANT4G

DigiKeys produktnummer
NVB6411ANT4G-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NVB6411ANT4G
Beskrivning
MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 100 V 77 A (Tc) 217W (Tc) Ytmontering D2PAK
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
NVB6411ANT4G Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
77 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
14mOhm vid 72A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
217W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
D2PAK
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
NVB6411
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar