NTR3A30PZT1G onsemi | Diskreta halvledarprodukter

NTR3A30PZT1G har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Diodes Incorporated

I lager: 25 410

Enhetspris : kr 4,25000

Similar

Nexperia USA Inc.

I lager: 52 650

Enhetspris : kr 7,94000

Similar

MCC (Micro Commercial Components)

I lager: 1 713

Enhetspris : kr 5,01000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTR3A30PZT1G
DigiKeys produktnummer	NTR3A30PZT1GOSTR-ND - Remsa och spole (TR) NTR3A30PZT1GOSCT-ND - Remsbit (CT) NTR3A30PZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NTR3A30PZT1G
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 3 A (Ta) 480mW (Ta) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTR3A30PZT1G Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	3 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	38mOhm vid 3A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	17.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1651 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	480mW (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	NTR3A30