Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 24.45 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTMS10P02R2G
DigiKeys produktnummer	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Remsa och spole (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Remsbit (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NTMS10P02R2G
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 8,8 A (Ta) 1,6W (Ta) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTMS10P02R2G Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8,8 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	14mOhm vid 10A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3640 pF @ 16 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,6W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOIC
Inkapsling/låda	8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Basproduktens nummer	NTMS10