Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 49.725 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTMFS3D2N10MDT1G
DigiKeys produktnummer	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Remsa och spole (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Remsbit (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NTMFS3D2N10MDT1G
Beskrivning	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Ytmontering 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTMFS3D2N10MDT1G Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,5mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 316µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN, 5 ledningar
Basproduktens nummer	NTMFS3