N-kanal 650 V 66 A (Tc) 291W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 66 A (Tc) 291W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
TO-247-3

NTHL045N065SC1

DigiKeys produktnummer
5556-NTHL045N065SC1-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NTHL045N065SC1
Beskrivning
SIC MOS TO247-3L 650V
Tillverkarens standardleveranstid
16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 66 A (Tc) 291W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
66 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
50mOhm vid 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,3V vid 8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
291W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-3
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 445
Fabrikslager: 900
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 125,85000kr 125,85
10kr 88,11700kr 881,17
450kr 63,64942kr 28 642,24
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 125,85000
Enhetspris inkl. moms:kr 157,31250
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
TW083N65C,S1F

TW083N65C,S1F

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH

Toshiba Semiconductor and Storage

kr 150,21000