N-kanal 650 V 38 A (Tc) 148W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 38 A (Tc) 148W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
TO-247-4

NTH4L075N065SC1

DigiKeys produktnummer
5556-NTH4L075N065SC1-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NTH4L075N065SC1
Beskrivning
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Tillverkarens standardleveranstid
18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 38 A (Tc) 148W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
38 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
85mOhm vid 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,3V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1196 pF @ 325 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
148W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Basproduktens nummer
NTH4L075
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 414
Fabrikslager: 450
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 98,27000kr 98,27
30kr 58,42467kr 1 752,74
120kr 49,69225kr 5 963,07
510kr 46,09180kr 23 506,82
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 98,27000
Enhetspris inkl. moms:kr 122,83750