N-kanal 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
TO-247-4

NTH4L030N120M3S

DigiKeys produktnummer
5556-NTH4L030N120M3S-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NTH4L030N120M3S
Beskrivning
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Tillverkarens standardleveranstid
20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
73 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
39mOhm vid 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,4V vid 15mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2430 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
313W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 925
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 122,63000kr 122,63
30kr 74,34733kr 2 230,42
120kr 63,76633kr 7 651,96
510kr 61,57002kr 31 400,71
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 122,63000
Enhetspris inkl. moms:kr 153,28750