Name: NTH4L025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L025N065SC1-ND
Price: 244.9875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTH4L025N065SC1
DigiKeys produktnummer	5556-NTH4L025N065SC1-ND
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NTH4L025N065SC1
Beskrivning	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTH4L025N065SC1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	99 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	28,5mOhm vid 45A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,3V vid 15,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	164 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3480 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	348W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-4L
Inkapsling/låda	TO-247-4

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 167

Fabrikslager: 12 600

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 195,99000	kr 195,99
10	kr 140,61600	kr 1 406,16
450	kr 111,80882	kr 50 313,97

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.