N-kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
TO-247-4

NTH4L025N065SC1

DigiKeys produktnummer
5556-NTH4L025N065SC1-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NTH4L025N065SC1
Beskrivning
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Tillverkarens standardleveranstid
18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
NTH4L025N065SC1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
99 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
28,5mOhm vid 45A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,3V vid 15,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3480 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
348W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 167
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 191,37000kr 191,37
10kr 137,29600kr 1 372,96
450kr 109,16920kr 49 126,14
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 191,37000
Enhetspris inkl. moms:kr 239,21250
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
NTH4L018N075SC1

NTH4L018N075SC1

SIC MOS TO247-4L 750V

onsemi

kr 215,72000