Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 128.525 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTBG040N120M3S
DigiKeys produktnummer	5556-NTBG040N120M3STR-ND - Remsa och spole (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Remsbit (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NTBG040N120M3S
Beskrivning	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Tillverkarens standardleveranstid	21 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) Ytmontering D2PAK-7
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4,4V vid 10mA
Tillv. onsemi	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 18 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +22V, -10V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 800 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 263W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 1200 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 57 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning D2PAK-7
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 18V	Inkapsling/låda TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Rds On (max) @ Id, Vgs 54mOhm vid 20A, 18V	Basproduktens nummer NTBG040