N-kanal 100 V 13 A (Ta) 64,7W (Ta) Ytmontering D2PAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTB13N10T4G

DigiKeys produktnummer
NTB13N10T4GOS-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NTB13N10T4G
Beskrivning
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 100 V 13 A (Ta) 64,7W (Ta) Ytmontering D2PAK
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
NTB13N10T4G Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
13 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
165mOhm vid 6,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
64,7W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
D2PAK
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
NTB13
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Alternativa förpackningstyper.
Ej annullerbar/ej returnerbar