FQPF7N60 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 87
Enhetspris : kr 10,97000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 18
Enhetspris : kr 12,31000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 744
Enhetspris : kr 9,15000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 497
Enhetspris : kr 13,09000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 877
Enhetspris : kr 7,93000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 000
Enhetspris : kr 15,43000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 992
Enhetspris : kr 10,75000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 62
Enhetspris : kr 11,14000
Datablad
N-kanal 600 V 4,3 A (Tc) 48W (Tc) Genomgående hål TO-220F-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FQPF7N60

DigiKeys produktnummer
FQPF7N60-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FQPF7N60
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 4,3 A (Tc) 48W (Tc) Genomgående hål TO-220F-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1Ohm vid 2,2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1430 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
48W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220F-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.