FQB5P10TM har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IRF5210STRLPBF
Infineon Technologies
I lager: 8 240
Enhetspris : kr 40,23000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
P-kanal 100 V 4,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 40W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
P-kanal 100 V 4,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 40W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB5P10TM

DigiKeys produktnummer
FQB5P10TM-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
FQB5P10TM
Beskrivning
MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
P-kanal 100 V 4,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 40W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FQB5P10TM Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
QFET®
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
P-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
4,5 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,05Ohm vid 2,25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3,75W (Ta), 40W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
FQB5
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar