FQB33N10LTM har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


onsemi
I lager: 1 870
Enhetspris : kr 69,57000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 4 934
Enhetspris : kr 19,19000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 2 358
Enhetspris : kr 24,17000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 857
Enhetspris : kr 30,45000
Datablad
N-kanal 100 V 33 A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 100 V 33 A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB33N10LTM

DigiKeys produktnummer
FQB33N10LTMTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FQB33N10LTM
Beskrivning
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 100 V 33 A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
52mOhm vid 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3,75W (Ta), 127W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar