FQB10N50CFTM-WS har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


onsemi
I lager: 2 622
Enhetspris : kr 40,69000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 281
Enhetspris : kr 48,07000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 46,04000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 97
Enhetspris : kr 140,62000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 643
Enhetspris : kr 96,33000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 8,79730
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 161
Enhetspris : kr 38,75000
Datablad
N-kanal 500 V 10 A (Tc) 143W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 500 V 10 A (Tc) 143W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB10N50CFTM-WS

DigiKeys produktnummer
FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FQB10N50CFTM-WS
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 10 A (Tc) 143W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FQB10N50CFTM-WS Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
610mOhm vid 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
143W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.