FDPF10N50UT har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 43
Enhetspris : kr 22,42000
Datablad

Similar

TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 39
Enhetspris : kr 19,19000
Datablad

Similar

TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 0
Enhetspris : kr 19,19000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 500 V 8 A (Tc) 42W (Tc) Genomgående hål TO-220F-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FDPF10N50UT

DigiKeys produktnummer
FDPF10N50UT-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
FDPF10N50UT
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 8 A (Tc) 42W (Tc) Genomgående hål TO-220F-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FDPF10N50UT Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
UniFET™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
8 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,05Ohm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1130 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220F-3
Inkapsling/låda
TO-220-3 fullpack
Basproduktens nummer
FDPF10
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.