FDP8N50NZ har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


onsemi
I lager: 282
Enhetspris : kr 32,66000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 51
Enhetspris : kr 17,72000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 13 693
Enhetspris : kr 19,19000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 33,95000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 7 101
Enhetspris : kr 37,83000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 13,14658
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 9 245
Enhetspris : kr 32,20000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 766
Enhetspris : kr 31,46000
Datablad
N-kanal 500 V 8 A (Tc) 130W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FDP8N50NZ

DigiKeys produktnummer
FDP8N50NZ-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FDP8N50NZ
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 8 A (Tc) 130W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
850mOhm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
735 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar