FDP7N50 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IRF840APBF
Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 33,95000
Datablad

Similar

IXTP12N50PM
IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 27,52753
Datablad

Similar

STP8NM50N
STMicroelectronics
I lager: 798
Enhetspris : kr 28,51000
Datablad

Similar

STP9NK50Z
STMicroelectronics
I lager: 772
Enhetspris : kr 31,46000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 500 V 7 A (Tc) 89W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FDP7N50

DigiKeys produktnummer
FDP7N50-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
FDP7N50
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 7 A (Tc) 89W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FDP7N50 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
UniFET™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
900mOhm vid 3,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
89W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
FDP7
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 3 000 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.

Other Suppliers on DigiKey

3 000I lager
Skickas från Flip Electronics