FDP75N08A har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies
I lager: 8 097
Enhetspris : kr 3,70000
Datablad

Similar

AOT470
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,68590
Datablad

Similar

IRFB3607PBF
Rochester Electronics, LLC
I lager: 544
Enhetspris : kr 0,64545
Datablad

Similar

STP75NF75
STMicroelectronics
I lager: 273
Enhetspris : kr 2,89000
Datablad

Similar

STP76NF75
STMicroelectronics
I lager: 961
Enhetspris : kr 2,44000
Datablad

Similar

TK40E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 37
Enhetspris : kr 1,53000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 75 V 75 A (Tc) 137W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FDP75N08A

DigiKeys produktnummer
FDP75N08A-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
FDP75N08A
Beskrivning
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 75 V 75 A (Tc) 137W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
UniFET™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
75 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
75 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
11mOhm vid 37,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4468 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
137W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
FDP75
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.