FCP9N60N-F102 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

FCP360N65S3R0
onsemi
I lager: 293
Enhetspris : kr 31,83000
Datablad

Similar

AOTF11S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 149
Enhetspris : kr 32,11000
Datablad

Similar

IXFP12N65X2M
IXYS
I lager: 273
Enhetspris : kr 47,43000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 600 V 9 A (Tc) 83,3W (Tc) Genomgående hål TO-220F
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FCP9N60N-F102

DigiKeys produktnummer
FCP9N60N-F102-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
FCP9N60N-F102
Beskrivning
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 9 A (Tc) 83,3W (Tc) Genomgående hål TO-220F
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FCP9N60N-F102 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
385mOhm vid 4,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83,3W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220F
Inkapsling/låda
TO-220-3 fullpack
Basproduktens nummer
FCP9N60
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.