FCH190N65F-F085 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt


onsemi
I lager: 191
Enhetspris : kr 64,87000
Datablad

Similar


Microchip Technology
I lager: 0
Enhetspris : kr 104,73320
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 74
Enhetspris : kr 43,15000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 158
Enhetspris : kr 39,59000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 162
Enhetspris : kr 42,15000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 0
Enhetspris : kr 35,31000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 939
Enhetspris : kr 43,97000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 88
Enhetspris : kr 40,96000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 462
Enhetspris : kr 37,95000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 62
Enhetspris : kr 51,27000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 227
Enhetspris : kr 42,51000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 5 060
Enhetspris : kr 75,45000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 566
Enhetspris : kr 130,46000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 113,22000
Datablad
N-kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Fairchild Field Stop Trench IGBT | Digi-Key Daily

FCH190N65F-F085

DigiKeys produktnummer
FCH190N65F-F085-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FCH190N65F-F085
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FCH190N65F-F085 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
190mOhm vid 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3181 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 900 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.

Other Suppliers on DigiKey

900I lager
Skickas från Flip Electronics