FCD4N60TM_WS har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


onsemi
I lager: 4 551
Enhetspris : kr 21,68000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 17,99000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 7 212
Enhetspris : kr 16,98000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 349
Enhetspris : kr 41,80000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 613
Enhetspris : kr 19,10000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 1 964
Enhetspris : kr 21,04000
Datablad
N-kanal 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) Ytmontering TO-252AA
TO-252AA

FCD4N60TM_WS

DigiKeys produktnummer
FCD4N60TM_WSTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FCD4N60TM_WS
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,2Ohm vid 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-252AA
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar