FCA36N60NF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

NTHL110N65S3F
onsemi
I lager: 668
Enhetspris : kr 79,81000
Datablad

Similar

TK31J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 12
Enhetspris : kr 90,15000
Datablad

Similar

TK31J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 22
Enhetspris : kr 92,82000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 600 V 34,9 A (Tc) 312W (Tc) Genomgående hål TO-3PN
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FCA36N60NF

DigiKeys produktnummer
488-FCA36N60NF-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
FCA36N60NF
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 34,9 A (Tc) 312W (Tc) Genomgående hål TO-3PN
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FCA36N60NF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
FRFET®, SupreMOS®
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
34,9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
95mOhm vid 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4245 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
312W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-3PN
Inkapsling/låda
TO-3P-3, SC-65-3
Basproduktens nummer
FCA36N60
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 1 056 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.

Other Suppliers on DigiKey

1 056I lager
Skickas från Flip Electronics