Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 82.1125 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

PSMN2R3-100SSEJ
DigiKeys produktnummer	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Remsa och spole (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Remsbit (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Nexperia USA Inc.
Tillverkarens produktnummer	PSMN2R3-100SSEJ
Beskrivning	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Ytmontering LFPAK88 (SOT1235)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	PSMN2R3-100SSEJ Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 1mA
Tillv. Nexperia USA Inc.	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 17200 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 341W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 255A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning LFPAK88 (SOT1235)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda SOT-1235
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,2mOhm vid 25A, 10V	Basproduktens nummer PSMN2R3