IXTH24N50 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXTH22N50P
IXYS
I lager: 228
Enhetspris : kr 67,36000
Datablad

Similar

IXFH26N50P
IXYS
I lager: 6
Enhetspris : kr 84,15000
Datablad

Similar

STW19NM50N
STMicroelectronics
I lager: 313
Enhetspris : kr 66,06000
Datablad

Similar

STW20NM50FD
STMicroelectronics
I lager: 401
Enhetspris : kr 81,47000
Datablad

Similar

STW26NM50
STMicroelectronics
I lager: 425
Enhetspris : kr 113,77000
Datablad

Similar

STW28NM50N
STMicroelectronics
I lager: 556
Enhetspris : kr 81,84000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 500 V 24 A (Tc) 300W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH24N50

DigiKeys produktnummer
IXTH24N50-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXTH24N50
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 24 A (Tc) 300W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
24 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
230mOhm vid 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXTH24
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.