IXTH21N50 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXTH22N50P
IXYS
I lager: 2
Enhetspris : kr 68,99000
Datablad

Similar

IXFH22N50P
IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 71,44000
Datablad

Similar

IPW50R140CPFKSA1
Rochester Electronics, LLC
I lager: 17 881
Enhetspris : kr 34,87049
Datablad

Similar

IPW50R250CPFKSA1
Infineon Technologies
I lager: 0
Enhetspris : kr 13,56313
Datablad

Similar

STW19NM50N
STMicroelectronics
I lager: 313
Enhetspris : kr 70,31000
Datablad

Similar

STW20NK50Z
STMicroelectronics
I lager: 996
Enhetspris : kr 46,02000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
IXYX110N120A4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH21N50

DigiKeys produktnummer
IXTH21N50-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXTH21N50
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 21 A (Tc) 300W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
21 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
250mOhm vid 10,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXTH21
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.