IXTH20N65X har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXTH20N65X2
IXYS
I lager: 111
Enhetspris : kr 71,82000
Datablad

Similar

SIHG17N80E-GE3
Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 58,40000
Datablad

Similar

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
I lager: 1 128
Enhetspris : kr 52,07000
Datablad

Similar

STW18N60M2
STMicroelectronics
I lager: 134
Enhetspris : kr 35,25000
Datablad

Similar

STW23N80K5
STMicroelectronics
I lager: 565
Enhetspris : kr 64,26000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
IXYX110N120A4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH20N65X

DigiKeys produktnummer
IXTH20N65X-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXTH20N65X
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 20 A (Tc) 320W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
Ultra X
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
20 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
210mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1390 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
320W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXTH20
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.