N-kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Genomgående hål TO-247HV
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH1N200P3HV

DigiKeys produktnummer
238-IXTH1N200P3HV-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IXTH1N200P3HV
Beskrivning
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Tillverkarens standardleveranstid
26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Genomgående hål TO-247HV
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
2000 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
40Ohm vid 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
646 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247HV
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 300
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 93,93000kr 93,93
30kr 55,63833kr 1 669,15
120kr 47,24017kr 5 668,82
510kr 43,44712kr 22 158,03
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 93,93000
Enhetspris inkl. moms:kr 117,41250