IXTH13N80 IXYS | Diskreta halvledarprodukter

IXTH13N80 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 33,45363

Similar

STMicroelectronics

I lager: 544

Enhetspris : kr 56,79000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 173

Enhetspris : kr 64,83000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 0

Enhetspris : kr 50,94000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH13N80
DigiKeys produktnummer	IXTH13N80-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXTH13N80
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 13 A (Tc) 300W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	MegaMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	13 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	800mOhm vid 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4500 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	300W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IXTH13