IXTH12N100 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

APT10090BLLG
Microchip Technology
I lager: 66
Enhetspris : kr 155,20000
Datablad

Similar

STW11NK100Z
STMicroelectronics
I lager: 28
Enhetspris : kr 66,25000
Datablad

Similar

STW13NK100Z
STMicroelectronics
I lager: 499
Enhetspris : kr 112,94000
Datablad

Similar

STW6N95K5
STMicroelectronics
I lager: 749
Enhetspris : kr 29,80000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 1000 V 12 A (Tc) 300W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH12N100

DigiKeys produktnummer
IXTH12N100-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXTH12N100
Beskrivning
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1000 V 12 A (Tc) 300W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1000 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,05Ohm vid 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXTH12
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar