IXTH10N100D har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

APT1201R4BFLLG
Microchip Technology
I lager: 0
Enhetspris : kr 215,26367
Datablad

Similar

APT9M100B
Microchip Technology
I lager: 0
Enhetspris : kr 33,21682
Datablad

Similar

STW11NK100Z
STMicroelectronics
I lager: 39
Enhetspris : kr 66,25000
Datablad

Similar

STW7N95K3
STMicroelectronics
I lager: 310
Enhetspris : kr 63,94000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal, tömningsläge 1000 V 10 A (Tc) 400W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH10N100D

DigiKeys produktnummer
238-IXTH10N100D-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXTH10N100D
Beskrivning
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal, tömningsläge 1000 V 10 A (Tc) 400W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
Depletion
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal, tömningsläge
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1000 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
10 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,4Ohm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
400W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXTH10
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.