N-kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263AA
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTA1N200P3HV

DigiKeys produktnummer
IXTA1N200P3HV-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IXTA1N200P3HV
Beskrivning
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Tillverkarens standardleveranstid
26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263AA
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IXTA1N200P3HV Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
2000 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
40Ohm vid 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
646 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263AA
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 2 250
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 96,70000kr 96,70
50kr 53,92380kr 2 696,19
100kr 49,80400kr 4 980,40
500kr 45,16456kr 22 582,28
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 96,70000
Enhetspris inkl. moms:kr 120,87500