Ny produkt
N-kanal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Genomgående hål ISO247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Genomgående hål ISO247-4L
TO-247-4

IXSJ80N120R1K

DigiKeys produktnummer
238-IXSJ80N120R1K-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXSJ80N120R1K
Beskrivning
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid
32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Genomgående hål ISO247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
85 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
23,4mOhm vid 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 22,2mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4556 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
223,2W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
ISO247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 31
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 269,06000kr 269,06
30kr 174,75733kr 5 242,72
120kr 168,16025kr 20 179,23
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 269,06000
Enhetspris inkl. moms:kr 336,32500