Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 346.3375 SEK
Availability: OutOfStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXSJ80N120R1
DigiKeys produktnummer	238-IXSJ80N120R1-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXSJ80N120R1
Beskrivning	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 85 A (Tc) 266W Genomgående hål ISO247-3L
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	85 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	22,5mOhm vid 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,8V vid 22,2mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4522 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	266W
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	ISO247-3L
Inkapsling/låda	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 i lager

Kontrollera leveranstid

Begär lagermeddelande

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 277,07000	kr 277,07
30	kr 180,04467	kr 5 401,34
120	kr 173,40750	kr 20 808,90

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.