Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 160.4125 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXSJ25N120R1
DigiKeys produktnummer	238-IXSJ25N120R1-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXSJ25N120R1
Beskrivning	1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 75,3W (Tc) Genomgående hål ISO247-3L
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	28 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	81mOhm vid 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,8V vid 5,3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1435 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	75,3W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	ISO247-3L
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 292

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 128,33000	kr 128,33
30	kr 77,95300	kr 2 338,59
120	kr 66,91150	kr 8 029,38
510	kr 64,85073	kr 33 073,87

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.