Ny produkt
N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 75,3W (Tc) Genomgående hål ISO247-3L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 75,3W (Tc) Genomgående hål ISO247-3L
TO-247-3

IXSJ25N120R1

DigiKeys produktnummer
238-IXSJ25N120R1-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXSJ25N120R1
Beskrivning
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid
35 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 28 A (Tc) 75,3W (Tc) Genomgående hål ISO247-3L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
28 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
81mOhm vid 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 5,3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1435 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
75,3W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
ISO247-3L
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 288
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 132,56000kr 132,56
30kr 80,52367kr 2 415,71
120kr 69,11817kr 8 294,18
510kr 62,60737kr 31 929,76
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 132,56000
Enhetspris inkl. moms:kr 165,70000