Ny produkt
N-kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH65N120L2KHV

DigiKeys produktnummer
238-IXSH65N120L2KHV-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXSH65N120L2KHV
Beskrivning
1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
65 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
52mOhm vid 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 9mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2160 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Kontrollera leveranstid
Begär lagermeddelande
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 91,41000kr 91,41
10kr 62,91300kr 629,13
450kr 42,08020kr 18 936,09
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 91,41000
Enhetspris inkl. moms:kr 114,26250