Ny produkt
N-kanal 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH100N65L2KHV

DigiKeys produktnummer
238-IXSH100N65L2KHV-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXSH100N65L2KHV
Beskrivning
650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
99 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
33mOhm vid 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 12mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3090 pF @ 600 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
454W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 410
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 102,42000kr 102,42
10kr 70,89000kr 708,90
450kr 48,67189kr 21 902,35
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 102,42000
Enhetspris inkl. moms:kr 128,02500