N-kanal 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Chassimontering SOT-227B
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFN66N85X

DigiKeys produktnummer
238-IXFN66N85X-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFN66N85X
Beskrivning
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Chassimontering SOT-227B
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
850 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
65 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
65mOhm vid 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,5V vid 8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
830W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning
SOT-227B
Inkapsling/låda
SOT-227-4, miniBLOC
Basproduktens nummer
IXFN66
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 957
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 406,72000kr 406,72
10kr 305,22600kr 3 052,26
100kr 281,62810kr 28 162,81
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 406,72000
Enhetspris inkl. moms:kr 508,40000