N-kanal 900 V 32 A (Tc) 960W (Tc) Genomgående hål TO-264AA (IXFK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFK32N90P

DigiKeys produktnummer
238-IXFK32N90P-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFK32N90P
Beskrivning
MOSFET N-CH 900V 32A TO264AA
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 900 V 32 A (Tc) 960W (Tc) Genomgående hål TO-264AA (IXFK)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Polar
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
900 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
32 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
300mOhm vid 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
960W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-264AA (IXFK)
Inkapsling/låda
TO-264-3, TO-264AA
Basproduktens nummer
IXFK32
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.